本发明涉及半导体工艺技术领域半导体器件侧墙工艺的一种制备方法，所述方法包括：在InP HBT外延片发射极材料上光刻；在所述光刻完的外延片上蒸发射极金属；在所述蒸完发射极金属的外延片上采用剥离工艺去除光刻胶；对所述外延片InGaAs盖帽层进行腐蚀；对所述外延片的InP发射极层进行腐蚀，形成发射极台面；在所述发射极台面侧面生长一层保护介质；对所述保护介质进行腐蚀，形成发射极台面侧墙。