一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法
文献类型：专利
| 作者 | 麻芃; 王显泰 ; 金智; 郭建楠
|
| 发表日期 | 2011-10-19 |
| 专利号 | CN102222607A |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及新型材料和半导体工艺技术领域针对化学气相淀积(CVD)方法制备石墨烯薄膜开发的一种转移工艺，石墨烯采用化学气相淀积方法制备。所述方法包括：将有机胶体或高分子聚合物悬涂在石墨烯表面作为支撑层并坚膜；将其浸泡在去离子水中，实现金属层和SiO2层分离；将分离后的支撑层/石墨烯/金属层放入化学腐蚀液中去除金属层；将支撑层/石墨烯转移到目标衬底；去除支撑层后实现石墨烯薄膜的转移。 |
| 公开日期 | 2011-10-19 |
| 申请日期 | 2011-05-19 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9845]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 麻芃,王显泰,金智,等. 一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法. CN102222607A. 2011-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。