Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for InP planar Gunn diode
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jia R(贾锐); Wu DQ(武德起); Bai Y(白阳) |
| 刊名 | CHINESE PHYS B
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| 出版日期 | 2013-01-29 |
| 公开日期 | 2014-10-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11928]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Jia R(贾锐) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jia R,Wu DQ,Bai Y. Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for InP planar Gunn diode[J]. CHINESE PHYS B,2013. |
| APA | 贾锐,武德起,&白阳.(2013).Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for InP planar Gunn diode.CHINESE PHYS B. |
| MLA | 贾锐,et al."Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for InP planar Gunn diode".CHINESE PHYS B (2013). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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