The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wu DQ(武德起); Jia R(贾锐); Bai Y(白阳) |
| 刊名 | CHINESE PHYS B
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| 出版日期 | 2013-07-27 |
| 公开日期 | 2014-10-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11930]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Jia R(贾锐) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu DQ,Jia R,Bai Y. The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode[J]. CHINESE PHYS B,2013. |
| APA | 武德起,贾锐,&白阳.(2013).The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode.CHINESE PHYS B. |
| MLA | 武德起,et al."The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode".CHINESE PHYS B (2013). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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