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The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode

文献类型:期刊论文

作者Wu DQ(武德起); Jia R(贾锐); Bai Y(白阳)
刊名CHINESE PHYS B
出版日期2013-07-27
公开日期2014-10-27
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/11930]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
通讯作者Jia R(贾锐)
推荐引用方式
GB/T 7714
Wu DQ,Jia R,Bai Y. The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode[J]. CHINESE PHYS B,2013.
APA 武德起,贾锐,&白阳.(2013).The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode.CHINESE PHYS B.
MLA 武德起,et al."The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode".CHINESE PHYS B (2013).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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