Effect of ultrathin GeOx interfacial layer formed by thermal oxidation on Al2O3 capped Ge
文献类型：期刊论文
| 作者 | Han L(韩乐); Wang SK(王盛凯); Xue BQ(薛百清); Liu HG(刘洪刚) |
| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2014-02-20 |
| 公开日期 | 2015-04-15 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12536]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Wang SK(王盛凯) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han L,Wang SK,Xue BQ,et al. Effect of ultrathin GeOx interfacial layer formed by thermal oxidation on Al2O3 capped Ge[J]. Chinese Physics B,2014. |
| APA | 韩乐,王盛凯,薛百清,&刘洪刚.(2014).Effect of ultrathin GeOx interfacial layer formed by thermal oxidation on Al2O3 capped Ge.Chinese Physics B. |
| MLA | 韩乐,et al."Effect of ultrathin GeOx interfacial layer formed by thermal oxidation on Al2O3 capped Ge".Chinese Physics B (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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