IMPACTS OF ANNEALING PROCESSES ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF GASB METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhou JH(周佳辉); Liu HG(刘洪刚); Wang SK(王盛凯); Yang X(杨旭); Zhao W(赵威); Chang HD(常虎东); Sun B(孙兵); Ceng ZH(曾振华) |
| 刊名 | Proceedings of ICSICT2014
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| 出版日期 | 2014-10-28 |
| 公开日期 | 2015-04-16 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12552]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Liu HG(刘洪刚) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou JH,Liu HG,Wang SK,et al. IMPACTS OF ANNEALING PROCESSES ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF GASB METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES[J]. Proceedings of ICSICT2014,2014. |
| APA | 周佳辉.,刘洪刚.,王盛凯.,杨旭.,赵威.,...&曾振华.(2014).IMPACTS OF ANNEALING PROCESSES ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF GASB METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES.Proceedings of ICSICT2014. |
| MLA | 周佳辉,et al."IMPACTS OF ANNEALING PROCESSES ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF GASB METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES".Proceedings of ICSICT2014 (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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