Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method
文献类型：期刊论文
| 作者 | Pang L(庞磊); Lin TY(林体元); Liu XY(刘新宇) ; Yuan TT(袁婷婷)
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2014-10-10 |
| 公开日期 | 2015-04-16 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12556]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Lin TY(林体元) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Pang L,Lin TY,Liu XY,et al. Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method[J]. Chinese Physics B,2014. |
| APA | 庞磊,林体元,刘新宇,&袁婷婷.(2014).Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method.Chinese Physics B. |
| MLA | 庞磊,et al."Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method".Chinese Physics B (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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