InGaAs Complementary metal-oxide-semiconductor fabricated on GaAs Substrate using Al2O3 as gate oxide
文献类型：会议论文
| 作者 | Zhou SH(周生辉); Liu GM(刘桂明); Liu HG(刘洪刚); Ceng ZH(曾振华); Zhao W(赵威); Sun B(孙兵); Wang SK(王盛凯); Chang HD(常虎东) |
| 出版日期 | 2014-09-16 |
| 页码 | 120/3 |
| 会议录 | ICSICT2014, Guilin China
 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12844]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Chang HD(常虎东) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou SH,Liu GM,Liu HG,et al. InGaAs Complementary metal-oxide-semiconductor fabricated on GaAs Substrate using Al2O3 as gate oxide[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。