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砷化镓衬底改进的快速减薄方法

文献类型:专利

作者罗卫军; 刘新宇; 陈晓娟; 陈中子; 汪宁; 庞磊
发表日期2014
专利号CN201010577694.7
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附,同时采用真空加压方法进行固定,再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真,采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄,再配合使用混合氧化铝研磨浆液,达到小于60?m的厚度。在研磨结束以后,使用纳米抛光溶液进行CMP(化学机械抛光)工艺,达到衬底厚度小于50?m,公差小于±1?m,粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂,不卷曲,无划伤等效果。

公开日期2012-07-04
申请日期2010-12-07
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12938]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
罗卫军,刘新宇,陈晓娟,等. 砷化镓衬底改进的快速减薄方法. CN201010577694.7. 2014-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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