砷化镓衬底改进的快速减薄方法
文献类型:专利
作者 | 罗卫军![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2014 |
专利号 | CN201010577694.7 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附,同时采用真空加压方法进行固定,再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真,采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄,再配合使用混合氧化铝研磨浆液,达到小于60?m的厚度。在研磨结束以后,使用纳米抛光溶液进行CMP(化学机械抛光)工艺,达到衬底厚度小于50?m,公差小于±1?m,粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂,不卷曲,无划伤等效果。 |
公开日期 | 2012-07-04 |
申请日期 | 2010-12-07 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12938] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗卫军,刘新宇,陈晓娟,等. 砷化镓衬底改进的快速减薄方法. CN201010577694.7. 2014-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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