一种新型碳基材料和金属接触的制作方法
文献类型:专利
作者 | 王显泰![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2012-07-18 |
专利号 | CN102593006A |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法,该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层,然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形,腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层,并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极,最后去除沟道区上的掩膜金属层。本发明采用金属掩膜,实现光刻胶与碳基材料的隔离,最大程度的减小残余光刻胶对碳基材料与金属接触的影响,从而有效的增加了碳基FET器件的开态电流,提高了器件的跨导和截止频率。 |
公开日期 | 2012-07-18 |
申请日期 | 2012-03-21 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12944] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王显泰,麻芃,陈娇,等. 一种新型碳基材料和金属接触的制作方法. CN102593006A. 2012-07-18. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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