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一种新型碳基材料和金属接触的制作方法

文献类型:专利

作者王显泰; 麻芃; 陈娇; 金智; 郭建楠; 彭松昂; 潘洪亮
发表日期2012-07-18
专利号CN102593006A
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

 本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法,该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层,然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形,腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层,并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极,最后去除沟道区上的掩膜金属层。本发明采用金属掩膜,实现光刻胶与碳基材料的隔离,最大程度的减小残余光刻胶对碳基材料与金属接触的影响,从而有效的增加了碳基FET器件的开态电流,提高了器件的跨导和截止频率。

公开日期2012-07-18
申请日期2012-03-21
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12944]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王显泰,麻芃,陈娇,等. 一种新型碳基材料和金属接触的制作方法. CN102593006A. 2012-07-18.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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