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高频频率源装置

文献类型:专利

作者王显泰; 吴旦昱; 刘洪刚; 刘新宇
发表日期2014-01-15
专利号CN201010544425.0
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种高频频率源装置。该高频频率源装置包括:单片GaN?HEMT微波振荡器,用于产生高功率的微波振荡信号;锁相电路,用于接收微波振荡信号,实现对单片GaN?HEMT微波振荡器输出的微波振荡信号的锁相;倍频电路,用于接收单片GaN?HEMT微波振荡器产生的经过锁相的微波振荡信号,并将微波振荡信号倍频到预设高频频率后输出。本发明高频频率源装置克服了现有技术中基于二极管负阻结构的高频频率源装置噪声性能差的缺陷,具有低噪声、可调谐性能高、稳定性能好的优点。

公开日期2012-05-23
申请日期2010-11-12
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12966]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王显泰,吴旦昱,刘洪刚,等. 高频频率源装置. CN201010544425.0. 2014-01-15.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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