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晶硅良好表面钝化技术及其在n 型电池中的应用

文献类型:期刊论文

作者刘新宇; 金智; 李昊峰; 窦丙飞; 贾锐; 冯泽增
刊名真空科学与技术学报
出版日期2015-12-13
语种中文
公开日期2016-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/14953]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘新宇,金智,李昊峰,等. 晶硅良好表面钝化技术及其在n 型电池中的应用[J]. 真空科学与技术学报,2015.
APA 刘新宇,金智,李昊峰,窦丙飞,贾锐,&冯泽增.(2015).晶硅良好表面钝化技术及其在n 型电池中的应用.真空科学与技术学报.
MLA 刘新宇,et al."晶硅良好表面钝化技术及其在n 型电池中的应用".真空科学与技术学报 (2015).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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