Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu XY(刘新宇) ; Tang YD(汤益丹); Liu KA(刘可安); Shen HJ(申华军); Wu J(吴佳); Li CZ(李诚瞻); Peng CY(彭朝阳); Wang YY(王弋宇); Bai Y(白云)
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2015-08-01 |
| 公开日期 | 2016-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14955]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu XY,Tang YD,Liu KA,et al. Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system[J]. Chinese Physics B,2015. |
| APA | Liu XY.,Tang YD.,Liu KA.,Shen HJ.,Wu J.,...&Bai Y.(2015).Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system.Chinese Physics B. |
| MLA | Liu XY,et al."Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system".Chinese Physics B (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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