Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang XH(王鑫华) ; Gao Z(高竹); Bao QL(包琦龙); Liu XY(刘新宇); Ma XH(马晓华); Liu Y(刘影); Huang S(黄森)
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| 刊名 | Physics Status Solidi A
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| 出版日期 | 2015-09-11 |
| 公开日期 | 2016-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14961]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang XH,Gao Z,Bao QL,et al. Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures[J]. Physics Status Solidi A,2015. |
| APA | 王鑫华.,高竹.,包琦龙.,刘新宇.,马晓华.,...&黄森.(2015).Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures.Physics Status Solidi A. |
| MLA | 王鑫华,et al."Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures".Physics Status Solidi A (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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