Breakdown mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness
文献类型：期刊论文
| 作者 | Pang L(庞磊); Liu XY(刘新宇) ; Chen W(陈伟); Ma XH(马晓华); Zhang YM(张亚嫚); Wang XH(王鑫华); Yuan TT(袁婷婷)
|
| 刊名 | Chinese Physics B
 |
| 出版日期 | 2015-01-12 |
| 公开日期 | 2016-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14963]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Pang L,Liu XY,Chen W,et al. Breakdown mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness[J]. Chinese Physics B,2015. |
| APA | Pang L.,Liu XY.,Chen W.,Ma XH.,Zhang YM.,...&Yuan TT.(2015).Breakdown mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness.Chinese Physics B. |
| MLA | Pang L,et al."Breakdown mechanism in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness".Chinese Physics B (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。