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Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs

文献类型:期刊论文

作者Yang J(杨杰); Ding P(丁芃); Jin Z(金智); Zhong YH(钟英辉); Li XJ(李新建)
刊名Journal of the Korean Physical Society
出版日期2015-06-10
公开日期2016-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/14987]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Yang J,Ding P,Jin Z,et al. Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs[J]. Journal of the Korean Physical Society,2015.
APA Yang J,Ding P,Jin Z,Zhong YH,&Li XJ.(2015).Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs.Journal of the Korean Physical Society.
MLA Yang J,et al."Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs".Journal of the Korean Physical Society (2015).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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