Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang J(杨杰); Ding P(丁芃) ; Jin Z(金智); Zhong YH(钟英辉); Li XJ(李新建)
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| 刊名 | Journal of the Korean Physical Society
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| 出版日期 | 2015-06-10 |
| 公开日期 | 2016-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14987]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang J,Ding P,Jin Z,et al. Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs[J]. Journal of the Korean Physical Society,2015. |
| APA | Yang J,Ding P,Jin Z,Zhong YH,&Li XJ.(2015).Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs.Journal of the Korean Physical Society. |
| MLA | Yang J,et al."Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs".Journal of the Korean Physical Society (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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