Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-gates Fabrication Techniques for InP-based HEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang HL(王海丽); Zhong YH(钟英辉); Zang HP(臧华平); Sun SX(孙淑香); Li KK(李凯凯); Li XJ(李晓建); Ding P(丁芃) ; Jin Z(金智)
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| 刊名 | Chinese Journal of Electronics
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| 出版日期 | 2015-06-10 |
| 公开日期 | 2016-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14995]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang HL,Zhong YH,Zang HP,et al. Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-gates Fabrication Techniques for InP-based HEMT[J]. Chinese Journal of Electronics,2015. |
| APA | Wang HL.,Zhong YH.,Zang HP.,Sun SX.,Li KK.,...&Jin Z.(2015).Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-gates Fabrication Techniques for InP-based HEMT.Chinese Journal of Electronics. |
| MLA | Wang HL,et al."Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-gates Fabrication Techniques for InP-based HEMT".Chinese Journal of Electronics (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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