一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈晨 ; 张巍; 张代生; 金智; 刘新宇; 贾锐; 邢钊
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| 发表日期 | 2015-08-05 |
| 专利号 | CN201310360950.0 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 公开日期 | 2016-06-20 |
| 申请日期 | 2013-08-19 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15366]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晨,张巍,张代生,等. 一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法. CN201310360950.0. 2015-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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