高频内匹配功率器件的封装方法
文献类型:专利
作者 | 陈晓娟![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2015-04-29 |
专利号 | CN201210319726.2 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 公开了一种高频内匹配功率器件的封装方法,包括:将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内;将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内;将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连;将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。本发明提供的一种高频内匹配功率器件的封装方法,采用两级LCL输入匹配的封装方式,降低了输入匹配电路的Q值,从而增大了内匹配功率器件的带宽、增益和输出功率,此外,本发明分别采用金锡、金锗将高频功率器件、陶瓷电容和匹配电路共晶在管壳内,保证了物理连接的牢固性,并增加了功率器件的热导率。 |
公开日期 | 2012-12-19 |
申请日期 | 2012-08-31 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15490] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晓娟,杨成樾,罗卫军,等. 高频内匹配功率器件的封装方法. CN201210319726.2. 2015-04-29. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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