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高频内匹配功率器件的封装方法

文献类型:专利

作者陈晓娟; 杨成樾; 罗卫军; 刘新宇
发表日期2015-04-29
专利号CN201210319726.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

 公开了一种高频内匹配功率器件的封装方法,包括:将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内;将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内;将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连;将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。本发明提供的一种高频内匹配功率器件的封装方法,采用两级LCL输入匹配的封装方式,降低了输入匹配电路的Q值,从而增大了内匹配功率器件的带宽、增益和输出功率,此外,本发明分别采用金锡、金锗将高频功率器件、陶瓷电容和匹配电路共晶在管壳内,保证了物理连接的牢固性,并增加了功率器件的热导率。

公开日期2012-12-19
申请日期2012-08-31
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/15490]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈晓娟,杨成樾,罗卫军,等. 高频内匹配功率器件的封装方法. CN201210319726.2. 2015-04-29.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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