3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高云斌; 吴煜东; 申华军 ; 彭朝阳; 刘新宇
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| 刊名 | 大功率变流技术
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| 出版日期 | 2016-09-30 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 为满足轨道交通电力牵引应用对高压SiC 二极管器件的需求，对4H-SiC 器件有源区采用了不同JBS栅条参数设计，并通过TCAD 仿真对比分析了栅条参数对器件性能的影响；器件终端结构采用经过优化的35个场限环结构设计；最后采用Ti 作为肖特基金属，制备获得的3 300 V/15 A 4H-SiC JBS 器件势垒高度约为1.19 eV、击穿电压高于3 300 V。这是国内首次报道的3 300 V/15 A 规格SiC JBS 器件产品。通过实验测得：器件的特征导通电阻为7.6~19 mΩ·cm2；室温下，反向偏压达到3 300 V 时，器件的漏电流仅为0.3 μA，雪崩击穿电压达到3 800 V。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16143]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高云斌,吴煜东,申华军,等. 3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制[J]. 大功率变流技术,2016. |
| APA | 高云斌,吴煜东,申华军,彭朝阳,&刘新宇.(2016).3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制.大功率变流技术. |
| MLA | 高云斌,et al."3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制".大功率变流技术 (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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