一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨谦; 韩林超; 申华军 ; 白云; 汤益丹; 许恒宇; 王弋宇; 刘新宇
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| 发表日期 | 2016-08-17 |
| 专利号 | CN201310589191.5 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti和Ni，并对衬底-金属层进行高温退火处理。金属Ni、Ti和Ni的厚度分别为20nm、20nm和100nm。本发明可应用于SiC?JBS肖特基二极管的背面欧姆接触与SiC?MOSFET的背面欧姆接触的制备，以及其它类似SiC器件的背面欧姆接触。本发明采用Ni/Ti/Ni混合金属组分，采用高温退火的方式得到致密而且接触面比较平滑的欧姆接触，减小界面处空洞的存在，并且提高与加厚金属的粘附性，欧姆接触电阻率达到与采用纯Ni金属制备欧姆接触相当的水平。 |
| 公开日期 | 2014-02-12 |
| 申请日期 | 2013-11-20 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16423]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨谦,韩林超,申华军,等. 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法. CN201310589191.5. 2016-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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