一种低温晶圆键合方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵威; 刘洪刚; 李运; 王盛凯; 张雄; 郭浩; 孙兵; 常虎东 |
| 发表日期 | 2012-11-27 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16433]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵威,刘洪刚,李运,等. 一种低温晶圆键合方法. 2012-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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