本发明实施例公开了一种石墨烯器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层以及其上的半导体层；在所述半导体层中形成背栅极，以及在背栅极上形成栅介质层、在栅介质层上形成石墨烯层，以及在所述背栅极两侧形成与背栅极电连接的背栅接触层；在所述背栅接触层上形成背栅接触塞，以及在所述背栅极上形成源漏接触塞。通过利用衬底中的半导体层形成背栅极，从而实现自对准地形成背栅结构的石墨烯器件，其制造方法简单，具有同现有CMOS工艺较好的兼容性。