一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法
文献类型:专利
作者 | 史敬元![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2017-02-22 |
专利号 | CN201410779092.8 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法,包括:在金属铜表面生长石墨烯;在石墨烯表面涂覆PMMA薄膜,将铜基底漂浮于蚀刻剂溶液表面腐蚀去除铜得到PMMA/石墨烯复合薄膜;将通过摩擦带有静电的PET薄膜接近漂浮在液面的PMMA/石墨烯复合薄膜,利用静电作用使石墨烯/PMMA复合薄膜吸附在PET薄膜表面,然后将其与去离子水接触,同时使PET薄膜表面的静电释放,实现PMMA/石墨烯复合薄膜与PET薄膜的分离并使前者漂浮于水面;重复上述步骤,对石墨烯进行洗涤以完全除去石墨烯表面附着的铜蚀刻溶剂;最后将PMMA/石墨烯复合薄膜转移到目标衬底表面并溶解除去表面的PMMA。利用本发明,不仅可以实现大尺寸石墨烯的定位转移,同时可以大大降低石墨烯的破损率。 |
公开日期 | 2015-03-25 |
申请日期 | 2014-12-15 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17692] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 史敬元,王选芸,麻芃,等. 一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法. CN201410779092.8. 2017-02-22. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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