一种TI-IGBT器件
文献类型：专利
| 作者 | 张文亮; 喻巧群; 田晓丽; 朱阳军 |
| 发表日期 | 2013 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种TI-IGBT器件，包括器件衬底，所述衬底的正面为MOS元胞，所述衬底的反面为集电极金属，所述器件衬底为所述器件的N??漂移区，在所述N??漂移区下方设有N+缓冲层，所述N+缓冲层下方为集电区，所述集电区与所述集电极金属连接并形成欧姆接触。所述N+缓冲层与所述集电区之间还设有缓冲层。这种新型结构可以减小TI??IGBT集电极尺寸，大大改善了TI??IGBT内部电流的均匀性，有效抑制了回跳，提高了芯片的可靠性。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17702]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文亮,喻巧群,田晓丽,等. 一种TI-IGBT器件. 2013-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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