一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 霍瑞彬; 白云; 申华军 |
| 发表日期 | 2014 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，该SiC金属氧化物半导体晶体管包括：源极、栅极、SiO2氧化物介质、N+源区、P+接触区、优化掺杂的P阱、优化掺杂的主结、N??外延层、缓冲层、N+衬底、漏极、优化掺杂的场限环、截止区和隔离介质。本发明提出的制备SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件的方法，能够通过较少能量组合的Al注入，形成优化浓度分布的P??阱及终端结构的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，其制备工艺相对简单，并且可以兼顾器件导通特性和击穿特性。通过本发明制备的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，可用于功率开关电源电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17704]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 霍瑞彬,白云,申华军. 一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法. 2014-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。