本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、N??外延层(7)、缓冲层(8)、N+衬底(9)、漏极(10)、隔离介质(11)和额外N型注入的JFET子区域(12)。本发明提出的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，通过部分额外N型注入器件的JFET区域，降低JFET区域电阻，同时满足沟道不被耗尽，尤其可应用于短沟道碳化硅MOSFET器件中。利用本发明制备的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，可用于功率开关电源电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。