一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王波; 朱阳军; 张文亮; 陈宏; 谈景飞; 褚为利 |
| 发表日期 | 2012 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量的变化差，通过半导体嬗变掺杂方法将一定量的施主或受主杂质引入超结器件，使超结器件中的p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量相等。本发明通过半导体嬗变掺杂方法将一定量的施主或受主杂质引入超结器件后，由于在半导体材料中产生了缺陷，故载流子的寿命会大大下降，加快了器件的工作速度。也就是在辐照掺杂的同时进行了寿命控制。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17706]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王波,朱阳军,张文亮,等. 一种高度电荷平衡超结器件的制作方法. 2012-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。