Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu HG(刘洪刚) ; Wang SK(王盛凯); Ma L(马磊); Chang HD(常虎东); Sun B(孙兵); Su YY(苏玉玉); Jin Z(金智); Liu XY(刘新宇)
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| 刊名 | Chin. Phys. Lett.
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| 出版日期 | 2017-05-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17997]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu HG,Wang SK,Ma L,et al. Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric[J]. Chin. Phys. Lett.,2017. |
| APA | Liu HG.,Wang SK.,Ma L.,Chang HD.,Sun B.,...&Liu XY.(2017).Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric.Chin. Phys. Lett.. |
| MLA | Liu HG,et al."Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric".Chin. Phys. Lett. (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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