High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luo WJ(罗卫军) ; Liu XY(刘新宇); Sun PP(孙朋朋); Zhang ZJ(张宗敬); Liu H(刘辉)
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| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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| 出版日期 | 2017-07-06 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18003]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo WJ,Liu XY,Sun PP,et al. High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2017. |
| APA | Luo WJ,Liu XY,Sun PP,Zhang ZJ,&Liu H.(2017).High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. |
| MLA | Luo WJ,et al."High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic".IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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