Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with Good DC and RF Performances
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen C(陈晨) ; Ding P(丁芃); Niu JB(牛洁斌); Yang F(杨枫); Ding WC(丁武昌); Su YB(苏永波); Wang DH(王大海); Jin Z(金智)
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| 刊名 | IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY
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| 出版日期 | 2017-11-09 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18005]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen C,Ding P,Niu JB,et al. Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with Good DC and RF Performances[J]. IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY,2017. |
| APA | Chen C.,Ding P.,Niu JB.,Yang F.,Ding WC.,...&Jin Z.(2017).Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with Good DC and RF Performances.IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. |
| MLA | Chen C,et al."Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with Good DC and RF Performances".IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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