ALD Al2O3 passivation of Lg=100 nm metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang SK(王盛凯); Chang HD(常虎东); Sun B(孙兵); Liu HG(刘洪刚); Niu JB(牛洁斌) |
| 刊名 | solid state electronics
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| 出版日期 | 2017-10-06 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18010]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang SK,Chang HD,Sun B,et al. ALD Al2O3 passivation of Lg=100 nm metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates[J]. solid state electronics,2017. |
| APA | 王盛凯,常虎东,孙兵,刘洪刚,&牛洁斌.(2017).ALD Al2O3 passivation of Lg=100 nm metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates.solid state electronics. |
| MLA | 王盛凯,et al."ALD Al2O3 passivation of Lg=100 nm metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates".solid state electronics (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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