A four-channel time-interleaved 30-GS/s 6-bit ADC in 0.18 um SiGe BiCMOS technology
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhu XG(朱晓葛); Liu XY(刘新宇) ; Huang YK(黄银坤); Zhou L(周磊); Wu DY(吴旦昱); Wu J(武锦)
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| 刊名 | SCIENCE CHINA
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| 出版日期 | 2017-02-24 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18012]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu XG,Liu XY,Huang YK,et al. A four-channel time-interleaved 30-GS/s 6-bit ADC in 0.18 um SiGe BiCMOS technology[J]. SCIENCE CHINA,2017. |
| APA | Zhu XG,Liu XY,Huang YK,Zhou L,Wu DY,&Wu J.(2017).A four-channel time-interleaved 30-GS/s 6-bit ADC in 0.18 um SiGe BiCMOS technology.SCIENCE CHINA. |
| MLA | Zhu XG,et al."A four-channel time-interleaved 30-GS/s 6-bit ADC in 0.18 um SiGe BiCMOS technology".SCIENCE CHINA (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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