A 400-MS/s 10-b 8 interleaved SAR ADC in 0.13 um CMOS
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu XY(刘新宇) ; Zhu XG(朱晓葛); Zhou L(周磊); Wu DY(吴旦昱); Wu J(武锦)
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| 刊名 | IEICE Electronics Express
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| 出版日期 | 2017-01-26 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18013]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu XY,Zhu XG,Zhou L,et al. A 400-MS/s 10-b 8 interleaved SAR ADC in 0.13 um CMOS[J]. IEICE Electronics Express,2017. |
| APA | Liu XY,Zhu XG,Zhou L,Wu DY,&Wu J.(2017).A 400-MS/s 10-b 8 interleaved SAR ADC in 0.13 um CMOS.IEICE Electronics Express. |
| MLA | Liu XY,et al."A 400-MS/s 10-b 8 interleaved SAR ADC in 0.13 um CMOS".IEICE Electronics Express (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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