Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu XY(刘新宇) ; Yang CY(杨成樾); Shen HJ(申华军); Li CZ(李诚瞻); Bai Y(白云); Tang YD(汤益丹)
|
| 刊名 | Materials Science Forum
 |
| 出版日期 | 2017-05-15 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18020]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu XY,Yang CY,Shen HJ,et al. Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain[J]. Materials Science Forum,2017. |
| APA | Liu XY,Yang CY,Shen HJ,Li CZ,Bai Y,&Tang YD.(2017).Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain.Materials Science Forum. |
| MLA | Liu XY,et al."Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain".Materials Science Forum (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。