Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bai Y(白云) ; Peng CY(彭朝阳); Tang YD(汤益丹); Wang YY(王弋宇); Liu XY(刘新宇); Li CZ(李诚瞻)
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| 刊名 | Materials Science Forum
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| 出版日期 | 2017-05-15 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18021]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bai Y,Peng CY,Tang YD,et al. Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing[J]. Materials Science Forum,2017. |
| APA | Bai Y,Peng CY,Tang YD,Wang YY,Liu XY,&Li CZ.(2017).Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing.Materials Science Forum. |
| MLA | Bai Y,et al."Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing".Materials Science Forum (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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