Investigation of current collapse mechanism of LPCVD Si3N4 passivated AlGaN/GaN HEMTs by fast soft-switched current-DLTS and CC-DLTFS
文献类型：会议论文
| 作者 | Kang XW(康玄武) ; Huang S(黄森); Wei K(魏珂); Wang XH(王鑫华); Zhang JH(章晋汉)
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| 出版日期 | 2017-05-01 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18240]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Kang XW,Huang S,Wei K,et al. Investigation of current collapse mechanism of LPCVD Si3N4 passivated AlGaN/GaN HEMTs by fast soft-switched current-DLTS and CC-DLTFS[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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