High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP interface Control Layer and ALD-AL2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications
文献类型：会议论文
| 作者 | Sun B(孙兵) ; Xia QZ(夏庆贞); Huang KL(黄凯亮); Chang HD(常虎东); Wang SK(王盛凯)
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| 出版日期 | 2017-05-22 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18241]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sun B,Xia QZ,Huang KL,et al. High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP interface Control Layer and ALD-AL2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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