Study of Temperature-dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers
文献类型：会议论文
| 作者 | Liu XY(刘新宇) ; Dong SX(董升旭); Xu SD(徐少东); Tang YD(汤益丹); Bai Y(白云)
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| 出版日期 | 2017-09-19 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18245]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu XY,Dong SX,Xu SD,et al. Study of Temperature-dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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