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SiC肖特基接触高温特性研究及沟槽二极管研制

文献类型:学位论文

作者董升旭
答辩日期2018-05-14
文献子类硕士
授予单位中国科学院大学
导师白云
学位专业微电子学与固体电子学
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/18401]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
董升旭. SiC肖特基接触高温特性研究及沟槽二极管研制[D]. 中国科学院大学. 2018.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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