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一种半导体器件参数提取装置及方法

文献类型:专利

作者常虎东; 刘洪刚; 刘桂明; 周佳辉
发表日期2018-03-23
专利号CN201510049824.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法,涉及微电子集成电路技术领域,该半导体器件参数提取方法包括:用于编写电路网表的电路描述步骤;用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤;用于从测试计划中提取寄生单元参数和本征器件模型参数的参数提取步骤;以及用于将提取出的半导体器件参数导出的参数导出步骤。本发明提高了参数提取的灵活度和模型参数的准确性,并与商用模型结合实现便捷性,具有实际的应用价值。

公开日期2015-04-29
申请日期2015-01-30
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18662]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
常虎东,刘洪刚,刘桂明,等. 一种半导体器件参数提取装置及方法. CN201510049824.2. 2018-03-23.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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