本发明公开了一种优化P+区域的自对准碳化硅MOSFET器件及其制作方法。该自对准碳化硅MOSFET器件由多个相同元胞并联而成，且这些碳化硅MOSFET器件元胞是均匀排列的。该碳化硅MOSFET器件元胞包括两个源极、一个栅极、一个栅氧化层、两个N+源区、两个P+接触区、两个P阱、一个N-漂移层、一个缓冲层、一个N+衬底、一个漏极和一个隔离介质层。本发明通过优化P+区域，形成良好的源极欧姆接触，降低导通电阻，同时短接源极与P阱，防止寄生NPN和PiN的寄生晶体管效应，可兼顾器件导通特性和击穿特性，可应用于高压、高频碳化硅MOSFET器件中。本发明采用自对准制造方法，简化工艺，精度控制沟道尺寸，可以制造横向和纵向功率MOSFET。