应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙兵 ; 王盛凯; 刘洪刚; 常虎东
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| 发表日期 | 2018-05-08 |
| 专利号 | CN201510418996.2 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法，该复合栅介质层包括：形成于III-V族衬底之上的AlxY2-xO3界面钝化层；以及形成于该AlxY2-xO3界面钝化层之上的高介电绝缘层；其中1.2≤x≤1.9。该复合栅介质层通过调整AlxY2-xO3界面钝化层的Al/Y比例，改变了AlxY2-xO3界面钝化层中的平均原子配位数，降低了III-V族衬底界面态密度和边界陷阱密度，增加了MOS沟道迁移率；通过AlxY2-xO3界面钝化层与高介电绝缘层的配合，减小了栅漏电流，并提升了介质层的耐压能力，提高了III-V族衬底MOS电容的质量和增强了其可靠性。 |
| 公开日期 | 2015-11-25 |
| 申请日期 | 2015-07-16 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18670]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙兵,王盛凯,刘洪刚,等. 应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法. CN201510418996.2. 2018-05-08. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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