一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管，该制备方法包括：在衬底上光刻定义出需要金属接触的区域，在光刻胶的保护下，利用干法选择性刻蚀出用于沉积下层金属的凹槽；电子束蒸发下层金属，利用剥离工艺得到下层金属图案；转移石墨烯到透明衬底上，旋涂光刻胶，采用从背面曝光的方式，利用已有的下层金属作为光刻掩模，实现上层金属的自对准图形；沉积金属，自对准地形成金属与石墨烯双面接触结构。本发明的方法可以有效保证上下层金属的对准结构，减小石墨烯和金属之间的接触电阻，从而提高石墨烯电子器件的性能。