一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：提供绝缘衬底；在衬底上形成石墨烯导电层；在石墨烯导电层上沉积栅介质；图形化得到栅电极；形成栅极侧壁；以含有侧壁的栅极为掩膜，对栅介质层进行腐蚀；制作源漏自对准电极，其中栅极侧墙作为隔离，避免栅源、栅漏电极短路；最后，腐蚀掉栅极侧壁，得到空气隙自对准石墨烯晶体管。本发明方法制备工艺简单，易于与集成电路制造工艺兼容，同时由于实现了栅与源漏电极的自对准，从而大大缩短了器件通路区，减小了寄生电阻；通过侧壁腐蚀，形成空气隙，减小了栅源、栅漏之间的寄生电容，提高了石墨烯射频场效应晶体管性能。