本发明公开了一种减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成绝缘层和石墨烯导电层；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶，曝光后显影出梳型源漏接触结构，选择性沉积金属后剥离；在石墨烯导电层上沉积栅介质层；对栅介质层和石墨烯进行图形化刻蚀；在梳型源漏接触结构上选择性沉积源漏电极金属；在沟道区栅介质层上沉积栅金属。该制备过程简单并易于与顶栅石墨烯场效应晶体管制备工艺兼容，同时，由于采用了梳型的接触结构，使得电流通过边沿传输的方式由金属注入到石墨烯中，大大提升了电流注入效率，从而减小了器件的接触电阻，有助于提高顶栅石墨烯场效应晶体管的直流和频率特性。