本发明提供了一种半导体结构的制造方法。在衬底上形成一层石墨烯，形成伪栅、侧墙、源/漏区、源/漏延伸区，刻蚀源/漏区暴露出的石墨烯，形成第一介质层，再去除伪栅以及伪栅下面的石墨烯，形成栅介质层和栅电极，形成第二介质层，最后刻蚀接触孔，填充接触孔以形成接触塞。相应地，本发明还提供了一种半导体结构，利于减小源/漏延伸区的寄生电阻和寄生电容。