How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yu GH(于广辉); Peng SA(彭松昂) ; Jin Z(金智); Zhang DY(张大勇); Shi JY(史敬元); Niu JB(牛洁斌); Huang XN(黄昕楠); Yao Y(姚尧); Zhang YH(张燕辉)
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| 刊名 | Advanced Electronic Materials
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| 出版日期 | 2018-06-28 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18983]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu GH,Peng SA,Jin Z,et al. How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?[J]. Advanced Electronic Materials,2018. |
| APA | 于广辉.,彭松昂.,金智.,张大勇.,史敬元.,...&张燕辉.(2018).How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?.Advanced Electronic Materials. |
| MLA | 于广辉,et al."How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?".Advanced Electronic Materials (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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