Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu SD(徐少东); Dong SX(董升旭); Bai Y(白云) ; Liu XY(刘新宇); Tang YD(汤益丹)
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| 刊名 | Materials Science Forum
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| 出版日期 | 2018-06-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18992]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu SD,Dong SX,Bai Y,et al. Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers[J]. Materials Science Forum,2018. |
| APA | Xu SD,Dong SX,Bai Y,Liu XY,&Tang YD.(2018).Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers.Materials Science Forum. |
| MLA | Xu SD,et al."Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers".Materials Science Forum (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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