1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李诚瞻; 史晶晶; 白云 ; 董升旭; 汤益丹; 彭朝阳; 王弋宇; 刘新宇
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2018-04-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18993]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李诚瞻,史晶晶,白云,等. 1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制[J]. 半导体技术,2018. |
| APA | 李诚瞻.,史晶晶.,白云.,董升旭.,汤益丹.,...&刘新宇.(2018).1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制.半导体技术. |
| MLA | 李诚瞻,et al."1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制".半导体技术 (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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